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型号 IPI070N08N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
IPI070N08N3 G PDF
代理商 IPI070N08N3 G
产品变化通告 Product Discontinuation 26/Jul/2012
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 7 毫欧 @ 73A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 73µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3840pF @ 40V
功率 - 最大 136W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 PG-TO262-3
包装 管件
其它名称 SP000454290
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